上海伯東 KRI 射頻離子源 RFICP 140

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上海伯東代理美國原裝進口 KRI 射頻離子源 RFICP 140 是一款緊湊的有柵極離子源, 非常適用于離子束濺射沉積, 離子輔助沉積和離子束刻蝕. 在離子束濺射工藝中，射頻離子源 RFICP 140 配有離子光學(xué)元件, 可以很好的控制離子束去濺射靶材, 實現(xiàn)完美的薄膜特性. 同樣的在離子束輔助沉積和離子束刻蝕工藝中, 最佳的離子光學(xué)元件能夠完成發(fā)散和聚集離子束的任務(wù). 就標(biāo)準(zhǔn)的型號而言, 可以在離子能量為 100~1000 eV 范圍內(nèi)獲得很高的離子密度. 可以輸出最大 600 mA 離子流

KRI 射頻離子源 RFICP 140 技術(shù)參數(shù):

KRI 射頻離子源 RFICP 140 應(yīng)用領(lǐng)域：

預(yù)清洗

表面改性

輔助鍍膜(光學(xué)鍍膜)IBAD,

濺鍍和蒸發(fā)鍍膜 PC

離子濺射沉積和多層結(jié)構(gòu)

離子蝕刻 IBE 

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展已取得多項專利. KRi 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領(lǐng)域, 上海伯東是美國考夫曼離子源中國總代理.

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